SMW200A 矢量信号发生器
简介
新增： 最高 2 GHz 内部调制带宽
R&S®SMW200A 是一种矢量信号发生器，适用于最严苛的应用。 得益于灵活性、性能以及直观化操作，这款矢量信号发生器可用于生成复杂的高质量数字调制信号。
R&S®SMW200A 是一款数字调制信号发生器，适用于新型宽带通信系统的开发、3G 和 4G 基站的验证或航空航天和国防工业应用。
内部基带最高 2 GHz 的 I/Q 调制带宽满足第四代及第五代标准（5G、LTE Advanced 及 IEEE 802.11ac/ad），R&S®SMW200A 是为满足未来需求而设计的。 模块化可扩展架构便于用户根据实际应用优化发生器，并在需要时进行升级。
用户可添加一个附加射频路径、最多两个基带以及四个衰落模拟器模块 – 信号质量不会受到任何影响。 因此，R&S®SMW200A 可以创建以往需要多台仪器或根本无法实施的信号场景。 从 MIMO（最高 8x2）以及 LTE Advanced 载波聚合（包括衰落）到多标准无线电，以往从未有一台仪器具备如此高度的信号生成能力。
如果需要两个以上的射频通道，则可以连接附加的 R&S®SGMA 信号发生器模块。 直观化、基于触摸屏的操作概念为用户提供测量（不管复杂程度）概览，并快速提供所需的结果。
主要特点
满足您的所有要求
频率范围介于 100 kHz 至 3 GHz、6 GHz、12.75 GHz、20 GHz、31.8 GHz 或 40 GHz
可选的附加射频路径（ 100 kHz 至 3 GHz、6 GHz、12.75 GHz 或 20 GHz）
通用配置： 从单通道矢量信号发生器到多通道 MIMO 接收机测试仪
具有最多八个信号源以及最多 32 个衰落通道，非常适用于 MIMO、MSR 或 LTE Advanced 应用
采用模块化体系架构，以便更好地适应手头上的应用
简化设置
轻松生成复杂信号
在两个具有实时编码器及 ARB 的内部基带模块上，最多有八个基带发生器
内部数字增加基带信号，即便存在频率及电平偏移
宽带基带及矢量信号发生器集于一体
支持所有重要的数字标准，比如 5G 候选空中接口、LTE（最高第 12 版）、3GPP FDD/HSPA/HSPA+、GSM/EDGE/EDGE Evolution、
CDMA2000®/1xEV-DO、WLAN IEEE 802.11a/b/g/n/j/p/ac/ad
不需要符合数字标准的单独的 PC 软件
生成适用于模块、接收机及 DFS 测试的雷达信号场景
LTE 及 3GPP 测试用例向导，便于根据 3GPP TS 25.141 或 3GPP TS 36.141 轻松进行基站一致性测试
包络跟踪及 AM/AM、AM/φM 预失真选件，用于充分测试和验证 ET 调制器芯片组
将现实带到实验室
可选集成式衰落模拟器，用于在最高 160 MHz 的带宽下进行通道仿真
所有重要的衰落场景均已预设
安装最多四个衰落模块，提供多达 32 个“逻辑”衰减器
使用单个仪器实施所有重要的 MIMO 衰落场景，比如 2x2、3x3、4x4、8x4 及 4x8
支持复杂的应用，比如双载波 HSPA、LTE 载波聚合以及 MIMO 和多用户 LTE）
连接 R&S®SGT100A 信号发生器模块，以最多提供八个射频通道
优化设备
极佳的信号质量，有助于在频谱和调制测量中确保高精确度
内部基带最高 2 GHz I/Q 调制带宽（射频带宽）
在 2 GHz 带宽内，调制频率响应为 <0.4 dB（测量值）
高端脉冲调制，开关比为 > 80 dB 以及上升/下降时间为
极佳的频谱纯度（在 1 GHz、20 kHz 偏置下，SSB 相位噪声通常为 –139 dBc）
相位相参选项，比如用于波束赋形应用
3 GHz、6 GHz 及 12.75 GHz 射频通道（带电子衰减器）
加快开发
直观化操作概念以及智能帮助功能，帮助用户很快取得成功
关键操作元素框图，直观呈现信号流
自适应 GUI，提供简单及复杂场景的概览
图形化信号监控，几乎覆盖信号流中的每个点
提供完整用户文件的上下文有关在线帮助系统
SCPI 宏记录器及代码发生器，用于通过手动操作步骤生成可执行的远程控制代码（比如，针对 MATLAB®、CVI 等）
根据您的需求不断改进
仪器定制化，以适应几乎所有的应用
便于改造基带模块的先进插件系统，无需重新校准仪器
可随时进行软件升级，只需通过密钥单快速激活
| 频率 | ||
| 频率范围，射频通道 A | R&S®SMW-B103 | 100 kHz 至 3 GHz |
| R&S®SMW-B106 | 100 kHz 至 6 GHz | |
| R&S®SMW-B112 | 100 kHz 至 12.75 GHz | |
| R&S®SMW-B120 | 100 kHz 至 20 GHz | |
| R&S®SMW-B131 | 100 kHz 至 31.8 GHz | |
| R&S®SMW-B140/-B140N | 100 kHz 至 40 GHz | |
| 频率范围，射频通道 B（可选，详见 R&S®SMW200A 数据表了解可能的射频通道配置） | R&S®SMW-B203 | 100 kHz 至 3 GHz |
| R&S®SMW-B206 | 100 kHz 至 6 GHz | |
| R&S®SMW-B212 | 100 kHz 至 12.75 GHz | |
| R&S®SMW-B220 | 100 kHz 至 20 GHz | |
| 设置时间 | SCPI 模式 | < 1.2 ms，600 μs（典型值） |
| 电平 | ||
| 指定电平范围 | 3 MHz ≤ f < 20 GHz | –120 dBm 至 +18 dBm (PEP) |
| R&S®SMW-B131，R&S®SMW-B140/-B140N | –120 dBm 至 +15/+18 dBm (PEP)，取决于射频 | |
| 设置时间 | SCPI 模式 | < 1 ms，600 μs（典型值） |
| R&S®SMW-B120/-B131/-B140/-B140N/-B220，带机械步进衰减器转换 | < 25 ms | |
| 频谱纯度 | ||
| 谐波 | 电平 < 10 dBm，CW | < –30 dBc |
| R&S®SMW-B120/-B131/-B140/-B140N/-B220， f >3.5 GHz | < –55 dBc | |
| 非谐波 | 具有全量程直流输出的 CW 或矢量调制，电平 > –10 dBm， 载波偏移 > 10 kHz，200 MHz < f ≤ 1500 MHz | |
| 标准 | < –80 dBc | |
| 带 R&S®SMW-B22 选件 | < –90 dBc | |
| SSB 相位噪声 | CW，载波偏移 = 20 kHz，f = 1 GHz | |
| 标准 | < –131 dBc，–135 dBc | |
| 带 R&S®SMW-B22 选件 | < –136 dBc，–139 dBc | |
| CW，载波偏移 = 20 kHz，f = 10 GHz | ||
| 标准 | < –111 dBc，–115 dBc | |
| 带 R&S®SMW-B22 选件 | < –116 dBc，–119 dBc | |
| 模拟调制 | ||
| 支持的模拟调制模式 | AM，FM（可选），φM（可选），脉冲（可选） | |
| I/Q 调制 | ||
| 射频调制带宽 | 具有内部宽带基带，“I/Q 宽带”开 | |
| 300 MHz ≤ f ≤ 2.5 GHz | ±40% 的载波频率 | |
| f > 2.5 GHz | ±1 GHz | |
| 具有内部 标准基带，“I/Q 宽带”开，f ≥ 250 MHz | ±80 MHz | |
| 指定射频调制带宽中的调制频率响应 | 具有内部宽带基带，“I/Q 宽带”开 | < 1.0 dB，< 0.4 dB（测量值） |
| 宽带基带发生器 | R&S®SMW-B9 选件，最多可安装 2 个基带发生器 | |
| 信号带宽 | 取决于选件 | 最高 2000 MHz |
| ARB 存储深度 | 取决于选件 | 最高 2 Gsample |
| 频率偏移 | 取决于选件 | 最高 -1000 MHz 至 + 1000 MHz |
| 标准基带发生器 | R&S®SMW-B10 选件，最多可安装 2 个基带发生器 | |
| 信号带宽 | 取决于选件 | 最高 160 MHz |
| ARB 存储深度 | 取决于选件 | 最高 1 Gsample |
| 频率偏移 | 取决于选件 | 最高 -80 MHz 至 +80 MHz |
| 数字标准 | ||
| 支持的标准及调制系统 | 5G 候选空中接口、LTE 版本 8/9/10/11,12、3GPP FDD/HSPA/HSPA+、GSM/EDGE/EDGE Evolution、CDMA2000®、1xEV-DO Rev. A/B、 WLAN IEEE 802.11a/b/g/n/j/p/ac/ad、AWGN 等等 | |
| 衰落和 MIMO | ||
| 衰落模拟器 | R&S®SMW-B14 选件，最多可安装 4 个衰落模块 | |
| 衰落带宽 | 最大 160 MHz | |
| 衰落信道 | 取决于选件 | 最多 32 |
| MIMO 衰落场景 | 取决于选件 | 2x2、4x2、2x4、3x3、4x4、8x4、4x8、8x2、2x8、4x2x2 等 |
| 衰落模式 | 取决于选件 | 多通道, 移动延时, 生灭, 高速列车, 双通道干扰装置 |
| 衰落剖面图 | 取决于选件 | Rayleigh、Rice、纯多普勒、静态通道、高斯等 |
